“这是你们设计的方案?”
王中军将手里的文件翻的哗哗作响,边看边忍不住皱起了眉头来。
“用腐蚀剂的各向同性来制作探针,你们考虑过这里面的工作量吗?”
“使用可控制侵蚀速度的硝酸和氢氟酸,我们计算过可能的配比,至少要做上千组实验。”
钟大华的声音没有多少波动,昨晚吴牧提出这个思路之后,他们俩就已经通过代理公司搜集了相关的信息,但情况却有些出人意料。
在美国的数据库里,并没有与这个思路相关的技术。
事实上从八十年代起,湿法蚀刻在美国就已经属于落后技术了。随着制程技术的提高,现在业界主流已经是干法蚀刻更胜一筹,因为干法蚀刻的各向异性更好,芯片的成品率自然更高。
也就是说在湿法蚀刻这个路线上,业界并没有走到尽头就更换了路线。
美国人技术比较先进,八十年代之后制程技术发展到微米级,为了克服湿法蚀刻的缺点,应用材料公司直接推出了干法蚀刻的pvd技术,干脆另开炉灶了!干法蚀刻是用等离子体直接撞击晶圆,从化学反应变成了物理反应,干脆没有各向同性的问题了。
当然,后来干法蚀刻的物理性蚀刻也不能满足需求,于是业界又把湿法蚀刻捡回来了。但那也是利用离子蚀刻机将化学腐蚀剂离子化之后,在pecvd基础上搞的湿法蚀刻。
各向异性的问题,早在八十年代美国人就解决了。
如今钟大华和吴牧想要走回头路,其实是挑了一条充满荆棘的小路在走。
想要参考、借鉴,可根本就没有先例可循。这样一来,难免让人有些心理打鼓了。
不过钟大华脸上根本看不出怀疑和忐忑,面对上千组实验需要的工作量,仿佛就像在说下班去哪里买菜一样。
“上千组实验?我看可不够!”
王中军摇了摇头,哼了一声:“这是你们计算配比和时间控制需要的实验数量,但是你想过没有,我们要的不是一根普通的针尖,而是一根50纳米宽的针尖!除了时间、配比以外,甚至一丁点微弱的空气流动,都能让你的实验结果出现偏差。除此之外,温度、湿度、空气杂质,这些还是能想到的干扰,真正做实验的时候,你会发现更多想都没想过的干扰源会出现……这些都必须一一排除,一千组实验你能保证出结果吗?”
“我保证……不了。”
钟大华的声音仍然没有起伏,冷静的说道:“但硅探针本来就没有先例,甚至是原子力显微镜探针,我们自己都还不能生产。可这个项目只给了我们两个月时间,根本没有按部就班实现的可能。”
“说实话,我认为吴牧这个思路简直是为我们量身定做。湿法蚀刻做探针虽然没有成熟技术可以借鉴,但各种腐蚀剂的性能数据还是很丰富的。这个思路最大的优势,就是不需要过往的基础,非常适合技术跳跃式发展。不管是亚微米还是微纳米,50纳米甚至是10纳米,甚至有一天1纳米的探针,只需要加大投入就一定能摸索出实现的参数。”
“我承认我们有赌的成分。”
“这个路线成功了,我们可以抛开当前的技术路线,走一条完全不同的纳米光栅制造体系。”
“它确实没有人实现过,但我们讲科学,它从理论上有成功的可能。”
“而且这种可能,也只有我们新科能够实现。”
“哦,这怎么说?”王中军其实对这个思路还是满意的,确实很难,但有实现的可能。
但要说只有新科能实现,这又凭什么啊?凭胡文海长得帅吗?
“这方面我是有依据的。”
钟大华说的信誓旦旦,王中军明显兴趣更大了。
“在搜索相关文献的时候,我们发现了一个情况。实际上和美国数据库比起来,方案中需要的数据反而更多来自研究院的数据中心。”
“各种腐蚀液配比的研究资料,近十年来反而是我们自己的研究院数据库更多。”
“其实这并不难理解,因为我们知道,现在集成电路的制程已经进入了亚微米级,湿法蚀刻早就已经不适应需求了。但在功率半导体上,制程却并不是越小越好。事实上igct的制程基本都在3微米以上,igbt的制程也是在1到3微米之间。”
“在业界普遍升级干法蚀刻之后,新科作为功率半导体的主要生产商,实际上仍然在大量的采用湿法蚀刻,并且持续多年在湿法蚀刻技术上投资改进升级。”
“由此积累下来的生产和实验资料,早就已经超出了国际先进水平。”
钟大华和王中军并不知道,这就是胡文海带来的超前规划红利了。