第978章 抹黑与无力挣扎~
自从《探索》期刊发布了两篇和碳基芯片相关的论文以来,硅基半导体产业界就像是海底喷发的火山般,掀起了惊天骇浪。
碳基芯片技术突破,硅基芯片即将落幕。
这一惊天动地的消息,还是由当今学术界最出名的徐川教授亲手公开的,这对于全世界任何一个国家来说都是爆炸性的消息。
这几天以来,无论是以米国为首的西方国家,还是掌握了硅基半导体产业链的民间资本,都陷入了一阵恐慌中。
几乎所有人都在担心,资本家在担心碳基芯片取代硅基芯片,担心碳基半导体占据硅基半导体的市场,自己失去垄断的地位和无尽的财富。
而普通人也在担心,担心自己随时被公司企业裁员。
毕竟硅基芯片与硅基半导体产业一旦开始落幕,那么占据着这个庞大无比市场的资本必然会从中撤离。
而裁员,往往是最有效的方法之一。
市场不再广袤,还养着那么多人做什么?
一时间,整个依赖硅基半导体产业为生的群体,都人心惶惶的。
从普通员工到公司中高层,乃至顶层拿着股份的打工皇帝或者资本,都在恐惧着未来。
不过就在这时,针对碳基芯片技术突破的质疑,犹如雨后春笋一般冒了出来。
而首先提出相关质疑的,是世界著名的半导体技术与科学杂志《jsts期刊》。
该期刊的旨在为从事更广泛集成电路技术的研发人员提供一个论坛和交流讨论的地方,提高整体超大规模集成电路技术。
jsts的主编在对外接受采访的时候表示,《探索》上公开的两篇论文可能存在严重的问题。
他们联合了米国加州理工大学半导体领域的顶尖大牛霍布斯.韦伯斯特教授一起研究了《探索.总刊》,发现上面公开的数据存在着异常情况。
比如《探索.总刊》公开的实验数据中,碳基芯片的热设计功耗tdp仅仅只有30w,而主频却高达5.8ghz
即便是碳基材料在半导体领域有着优势,但按照数据推算,成品碳基芯片也不可能达到如此夸张的性能数据。
为此,他们还给出了完整的模拟计算数据和性能,按照每平方毫米集成一千万颗碳基晶体管的数据,模拟出来的碳基芯片在性能上仅仅只有论文上的一半不到。
简而言之,《探索.总刊》上公开的论文上的实验数据,可能存在编造和夸大的情况。
不得不说,在半导体领域,《jsts期刊》的影响力还是相当大的,当这篇采访报道出来的时候,立刻就在半导体技术与科学论坛上掀起了不小的讨论。
在不少从事硅基半导体产业研究的学者或科研人员看来,加州理工大学霍布斯.韦伯斯特教授公开的这份模拟数据的确很有意思。
碳基芯片的性能究竟能达到一个怎样的层次,《探索.总刊》上的实验数据到底有没有造假,在这个本就占据了热搜的时间点,掀起了不小的讨论。
而公开站出来质疑和表态的,也并不单单是《jsts期刊》一家。
针对《探索.总刊》上的实验数据,许多半导体领域的大牛或顶级的企业都表示自己正在进行研究和模拟实验,并且对碳基芯片能否做到这个程度表示了极大的质疑。
甚至包括半导体领域最具权威的期刊杂志《ieee》,并且还是由电气和电子工程师协会的副理事长对外接受了采访,表示ieee对《探索.总刊》的实验数据存在疑惑
并且ieee希望做出这枚碳基芯片的星海研究院能够配合电气和电子工程师协会的调查,或者是提供基础芯片样本,以进行实验测试。
当ieee这个半导体领域最具权威的期刊杂志都公开站出来表达后,整个半导体领域都沸腾了起来。
无论是业内,还是界外,对于碳基芯片的讨论,再度热闹了起来。
不得不说,在半导体领域,这些老牌企业和西方利益集团的实力的确相当的夸张。
无论是媒体,还是学术界,亦或者是半导体产业界,都有大批的人甚至不乏顶尖的学者与公司企业快速的站了出来,进行站台、支持和反对。
短短两三天的时间,互联网上,学术界甚至是产业界内部的风声便已经完全反转了。
从一开始众人对碳基芯片的期待,再到大部分人都开始质疑《探索.总刊》论文上的实验数据可能存在编造。
这些掌握着世界传播媒体的西方利益集团和占据着硅基半导体产业链的国家与企业,这一次寻找到的突破点或者说‘抹黑点’确实相当的犀利。
他们并没有去质疑《探索.材料学》上有关于高密集成碳纳米管阵列这项核心技术难题是否已经真实的突破了。
而是选择了对《探索.总刊》上的碳基芯片数据进行了质疑。
一方面,这篇论文是仅仅是徐川挂名的通讯作者,而非第一作者。对于外界来说,这意味着可能是只是借助那位徐教授的名气,或者说是挂在他名下的一个科研项目,而非他本人亲自研究的。
甚至那位徐教授可能都没有完全了解过碳基芯片的具体参数、性能指标等等。
毕竟是否是他本人亲自完成的,对于学术界和外界来说是两个完全不同的概念。